京都 セミコンダクター。 株式会社オリナス 京都セミコンダクター

株式会社 京都セミコンダクター 代表取締役社長の交代および新経営体制に関するお知らせ|株式会社 京都セミコンダクターのプレスリリース

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京都セミコンダクター 開発本部 開発第2G グループマネージャー 太田篤伸 氏 本格的な5G時代が到来した。 ただし、いかに移動体通信を高速・大容量、低遅延、同時多数接続にできても、基地局やデータセンターなどの間をつなぐ光通信網が変わらなければ期待に応える情報システムは実現できない。 移動体通信と光通信網は、歩調を合わせて共に性能を底上げしていく必要があるのだ。 光通信機器の性能を決めるキーデバイスである光信号の受光素子、フォトダイオード(PD)の開発・製造で世界をリードしているのが京セミである。 5G時代の光通信機器への搭載に向けた25GHz~40GHz帯域のPDチップ、さらに信号増幅用TIA(Trans-Impedance Amplifier)など周辺部品を集積した光レシーバー・モジュールを他社に先駆けて開発。 先進的な光通信機器メーカーが求める特性へとカスタム化し、いち早く供給している。 光通信デバイスに特化した 稀有な開発・製造体制 時代の要請に応える光通信デバイスをタイムリーに届けるため、京セミは、数ある半導体メーカーの中でも稀有な開発・製造体制を採っている。 光通信機器に搭載するPDチップの多くは、高周波デバイスの素材としての適性が高い化合物半導体をベースにして作られる。 京セミではこの化合物半導体に注力し、長年にわたって継続的に技術と知見を蓄積してきた。 とくに高速光通信網でデータ伝送用キャリアとして用いられる近赤外光を高感度で受光するInGaAsベースのPDでは、世界の中でも際立った豊富な実績を誇っている。 また一般的に、光通信機器を開発・生産するメーカーは、PDの標準製品を外注して機器に組み込むのではなく、機器に合わせて自社設計したカスタムチップを利用する場合が多い。 このため光通信用PDのサプライヤーには、顧客技術に最適化した特性を備えるデバイスを作り込む技術が求められる。 その点、同社は半導体メーカーとしての規模は小さいながらも、開発ではデバイス構造からプロセス技術、実装技術まで、生産ではチップを作る前工程から後工程まで一貫して自社で行っている。 このため「必然的にエンジニア一人ひとりの役割が広くなり、部門にとらわれずに多様な技術の引き出しを駆使して問題解決策を探ることができます。 こうした体制であるからこそ、先進的光通信デバイスを迅速にカスタム開発できています。 高い開発効率と同時に、エンジニアとしてのやりがいを感じながら開発に取り組めています」と製造本部副本部長兼恵庭製造部部長の西村諭一氏は語る。 加えて、製品を製造する工場の設備と運用体制も、メモリー工場とは異質な、カスタム品の多品種少量生産に最適化した設備と運営体制が整えられている。 現在、京セミでは、2020年度中に30GHzのレシーバー・モジュールを量産する準備を進めている。 たとえ高性能なPDとTIAなど周辺部品を単純に組み合わせたとしても、PDの潜在能力を引き出した使い勝手の良い光レシーバー・モジュールができるわけではない。 そこで同社は、デバイス技術と高周波回路技術をすり合わせることで、モジュール設計を最適化している。 また、高速動作するPDでは受光素子の受光径が小さくなり、光ファイバーからの光を絞り込むためのレンズを搭載することになるが、「レンズをチップ裏面に高精度に加工し、CoC(Chip on Carrier)として実装する技術が必要です。 京セミは、こうした光学系の設計・加工技術を持つ国内屈指のメーカーです」と開発本部開発第1G グループマネージャーの磯村尚友氏は語る。

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高さ1.1mm、受光波長400〜1700nmの赤外線フォトダイオード

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ナイトライド・セミコンダクターの紫外線(UV)LEDは、波長355、360、365、370および375nmのUV-LEDランプ。 樹脂パッケージには、世界最高出力のNS375L-ERLM(Max. 25mW をはじめ、指向角の異なる5RLO、5RLM、5RFSがあり、耐紫外用の特殊な樹脂を使用することで、高い信頼性を確保しました。 また、波長400nm・光出力Max. 4mWの樹脂LEDも登場。 新製品として大面積チップを実装したハイパワーUV-LEDをラインナップに加えました。 樹脂やインクの硬化など、高出力の紫外線が必要とされる用途に最適なLEDです。 京都セミコンダクターの紫外線(UV)LEDは、TO-18パッケージで気密封止されたものと表面実装で石英窓付と樹脂封止されたものがあります。 主に、紙幣識別機、蛍光体励起光源などに使われます。 コーデンシの赤外発光LEDは、光センサの光源として、発光出力が大きく、人の目には見えない赤外線LEDが多く使われています。 発光波長はGaAsの940nmが一般的で、当社ではEL-タイプです。 他にGaAlAsとして高出力のCL-タイプ 880nm 、ML-タイプ 865nm 、 HL-タイプ 850nm など各種ございます。 パッケージも、キャンタイプ、樹脂モールドタイプ、セラミックタイプなど様々な種類、形状を 数多く取り揃えており、LEDと組合わせて 様々な用途に応じて選択いただけます。 京都セミコンダクターの赤外LEDは、TO-18パッケージで気密封止されており、高出力、高速応答が特長となります。 主に、光電スイッチ、光学機器などに使われます。 サンケン電気の赤外LEDは、砲弾型と面実装型があります。 新光電子の赤外LEDは、高出力の赤外発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだ赤外発光ダイオードです。 また、RoHS対応品もご用意しています。 フォトセンサ用光源、光電スイッチ用光源などの用途に適しています。 シャープの赤外LEDは、リードタイプ、面実装ともラインアップが豊富で、汎用、高出力タイプ、高速信号伝送用 12 MHz 、狭指向角、小型、薄型、広指向角、低順方向電圧型などがあり、幅広い提案可能です。 浜松ホトニクスは、光電スイッチ・エンコーダ・測量・光ファイバ通信などの用途に適した高出力のLEDを用意しています。

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IoTを支える京セミの光センシング・デバイス 最先端からレガシーまで多様な要求に応える光センサー

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